1、准备基质:在涂布光阻剂之前,硅片一般要进行处理,需要经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分,并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物以及硅二---。
2、涂布光阻剂(photo resist):将硅片放在一个平整的金属托盘上,托盘内有小孔与真空管相连,硅片就被吸在托盘上,这样硅片就可以与托盘一起旋转。
3、软烘干:也称前烘。在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%,甩胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易玷污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来,从而降低了灰尘的玷污。
4、---:---过程中,光刻胶中的感光剂发生光化学反应,从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。正性光刻胶中的感光剂dq发生光化学反应,变为---,进一步水解为茚并羧酸,羧酸对碱性溶剂的溶解度比未感光的感光剂高出约100倍,同时还会促进酚醛树脂的溶解。于是利用感光与未感光的光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。
5、显影(development) :经显影,正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中,---后在光刻胶层中的潜在图形,光刻胶供应商,显---便显现出来,在光刻胶上形成三位图形。为了提高分辨率,光刻胶生产厂家,几乎每一种光刻胶都有专门的显影液,以---高的显影效果。
6、硬烘干:也称坚膜。显---,硅片还要经过一个高温处理过程,主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂,增强光刻胶对硅片表面的附着力,同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。
7、刻(腐)蚀或离子注入
8、去胶:刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作保护层,可以将其除去,称为去胶,分为湿法去胶和干法去胶,其中湿法去胶又分去胶和无机溶剂去胶。
赛米莱德生产、销售光刻胶,以下信息由赛米莱德为您提供。
基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,然后生成聚合物,具有形成正像的特点。
光分解型,采用含有---醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。
光交联型,采用---月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。
赛米莱德——光刻胶供应商,我们为您带来以下信息。
光刻胶是印刷线路板、显示面板、集成电路等电子元器件的上游。光刻胶产业链覆盖范围非常广,上游为基础化工材料行业、精细化学品行业,中游为光刻胶制备,下游为电子加工厂商、各电子器产品应用终端。由于上游产品直接影响下游企业的产品,下业企业对公司产品的和供货能力十分重视,常采用采购的模式,进入壁垒较高。
在下游半导体、lcd、pcb等行业需求持续扩大的拉动下,光刻胶市场将持续扩大。2018年全球光刻胶市场规模为85亿美元,2014-2018年复合增速约5%。据ihs,江苏光刻胶,未来光刻胶复合增速有望维持5%。按照下游应用来看,光刻胶多少钱,目前半导体光刻胶占比24.1%,lcd 光刻胶占比26.6%,pcb 光刻胶占比24.5%,其他类光刻胶占比24.8%。
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