主要用于半导体图形化工艺，nr71 3000py光刻胶，是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40 步以上独立的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的---程度决定了半导体制造工艺的---程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的---设备。目前，asml 的nxe3400b售价在一亿欧元以上，---一架f35 ---。
按---波长，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（euv，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（pcb）用光刻胶、液晶显示（lcd）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。pcb光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术---水平。
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光刻胶市场空间与半导体的分不开。2012-2018年全球半导体市场规模复合增速8.23%，在全球半导体行业的快速发展下，全球半导体光刻胶市场持续增长。
而---，因全球半导体、液晶面板以及消费电子等产业向国内转移，nr71 3000py光刻胶价格，对光刻胶需求量迅速增量。
但是远远不够，从全球光刻胶的市场竞争格局来看，光刻胶市场主要由日韩企业---，国内企业市场份额集中在低端的pcb光刻胶上，高技术壁垒的lcd 和半导体光刻胶主要依赖进口。根据某些数据显示，国内光刻胶产值当中，pcb光刻胶的占比---95%，半导体光刻胶和lcd光刻胶产值占比都仅有2%。
由---析可知，我国目前在光刻胶领域急需技术突破的。
1．灵敏度（sensitivity）
灵敏度是衡量光刻胶---速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，nr71 3000py光刻胶哪里有，所需的---剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2．分辨率（resolution）
区别硅片表---邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（cd，critical dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：
(1) ---系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、---、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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