光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过---后，nr9 3000p光刻胶厂家，受到光照的部分变得容易溶解，经过显---被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过---后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显---，留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率（即光刻工艺中所能形成图形）不如正胶，因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术，主要使用正胶作为光刻胶。
在---过程中，正性胶通过感光化学反应，nr9 3000p光刻胶公司，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，nr9 3000p光刻胶，所以---后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。---后的光刻胶溶解速度几乎是未---的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在---区间显影，负性胶则相反。负性胶由于---区间得到保留，nr9 3000p光刻胶，漫射形成的轮廓使显---的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。
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为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作underlayer），其对光是不敏感的。---显---，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，含si的树脂等
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