光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类,按照应用领域,光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中,pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域,nr21 20000p光刻胶,光刻技术经历了紫外全谱(300~450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各---波长的光刻胶也应运而生,光刻胶中的关键配方成份,如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化,使光刻胶的综合性能---地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域,光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同,可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准---、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤,nr21 20000p光刻胶价格,以实现图形的转移,制造特定的微结构。
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光刻开始于-种称作光刻胶的感光性液体的应用。 图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。 光刻胶又称光致抗蚀剂,以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚酯胶和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的kpr为代表,后者以omr系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以---醌为感光化合物,以酚醛树脂为基体材料。常用的有az- 1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,nr21 20000p光刻胶,缺点是灵敏度、而刻蚀性和附着性等较差。
光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用---区与非---区的溶解速率差来实现图形的转移;
2、溶解抑制/溶解促进共同作用;
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;
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一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶,正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显---图形有涨缩,负性胶---在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以---负性胶的分辨率,但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶---,正胶---。
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