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根据化学反应机理和显影原理的不同,光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶,但经---后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂不可溶,经---后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看,光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、性强,是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶---光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同,导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊,要求使用不同品质等级的光刻胶化学品。
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1959 年被发明以来就成为半导体工业的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为 pcb 生产的重要材料。
二十世纪 90 年代,光刻胶又被运用到平板显示的加工制作,nr9 3000py光刻胶,对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。
在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶也起着举足轻重的作用。
总结来说,光刻胶产品种类多、性强,需要长期技术积累,对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有---要求,企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术,具有---的技术壁垒。
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光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外---或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法,nr9 3000py光刻胶多少钱,因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时,光刻胶材料本身的特性会发生改变,nr9 3000py光刻胶,经过显影液显---,---的负性光刻胶或未---的正性光刻胶将会留在衬底表面,这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上,而后续的刻蚀、沉积等工艺,就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上,后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
光刻胶按其形成图形的极性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成---分子;负胶指的是聚合物的---分子因光照而交链长链分子。 ---分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的---部分被去掉,而负胶的---部分被保留。
光刻胶一般由4部分组成:树脂型聚合物(resin/polymer),溶剂(solvent),光活性物质(photoactive compound,pac),添加剂(additive)。 其中,树脂型聚合物是光刻胶的主体,它使光刻胶具有耐刻蚀性能;溶剂使光刻胶处于液体状态,便于涂覆;光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/x射线等感光,并发生相应的化学反应;添加剂是用以改变光刻胶的某些特性,如控制胶的光吸收率/溶解度等。
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