光刻胶一般由4种成分组成:树脂型聚合物、光活性物质、溶剂和添加剂。树脂是光刻胶中占比较大的组分，构成光刻胶的基本骨架，主要决定---后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、耐腐蚀性、热稳定性等。光活性物质是光刻胶的关键组分，nr71 3000py光刻胶哪里有，对光刻胶的感光度、分辨率等其决定性作用。
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的技术参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，nr71 3000py光刻胶，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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模拟半导体（---og semiconductors）发光二极管（light-emitting diodes leds）微机电系统（microelectromechanical systems mems）太阳能光伏（solar photovoltaics pv）微流道和生物芯片（microfluidics & biochips）光电子器件/光子器件（optoelectronics/photonics）封装（packaging）
光刻胶经过几十年不断的发展和进步，nr71 3000py光刻胶多少钱，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类，按照应用领域，光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中，pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域，光刻技术经历了紫外全谱(300～450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv，包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各---波长的光刻胶也应运而生，光刻胶中的关键配方成份，如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化，使光刻胶的综合性能---地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域，光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同，可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准---、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤，以实现图形的转移，制造特定的微结构。
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