光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上，低温光刻胶价格，然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶溶液通常被旋转式滴入wafer。如图2.5所示，wafer被装到一个每分钟能转几千转的转盘上。几滴光刻胶溶液就被滴到旋转中的wafer的中心，离心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻胶溶液黏着在wafer上形成一层均匀的薄膜。多余的溶液从旋转中的wafer上被甩掉。薄膜在几秒钟之内就缩到它后期的厚度，溶剂很快就蒸发掉了，wafer上就留下了一薄层光刻胶。然后通过烘焙去掉后面剩下的溶剂并使光刻胶变硬以便后续处理。镀过膜的wafer对特定波成的光线很敏感，---是紫外（uv）线。相对来说他们仍旧对其他波长的，包括红，橙和黄光不太敏感。所以大多数光刻车间有特殊的黄光系统。
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光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，低温光刻胶，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未---的区域将溶解，而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是的，因此在ic制造中的应用更为普及，但mems系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。
光刻胶是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料，是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，其中，低温光刻胶生产厂家，树脂约占50%，单体约占35%。它能通过光化学反应改变自身在显影液中的溶解性，通过将光刻胶均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，利用它的光化学敏感性，通过---、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上。
光刻胶常被称为是精细化工行业技术壁垒的材料，是因为微米级乃至纳米级的图形加工对其---化学品的要求---，不仅化学结构特殊，品质要求也很苛刻，所以生产工艺复杂，需要长期的技术积累。
被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是电子制造领域的关键材料之一。下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用，是微细加工技术的关键性材料。
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