五、---
在这一步中，将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域，在下一步的能够溶解于特定的显影液中。
在接受光照后，正性光刻胶中的感光剂dq会发生光化学反应，nr7 6000p光刻胶厂家，变为---，nr7 6000p光刻胶多少钱，并进一步水解为茚并羧酸（indene-carboxylic-acid，nr7 6000p光刻胶， ca），羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍，产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度，就可以进行掩膜图形的转移。
a、接触式---（contact printing）掩膜板直接与光刻胶层接触。
b、接近式---（proximity printing）掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。
c、投影式---（projection printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜---光实现---。
d、步进式---(stepper)
光刻胶市场
据统计资料显示，2017年光刻胶行业产量达到7.56万吨，较2016年增加0.29万吨，其中，本土光刻胶产量为4.41万吨，与7.99万吨的需求量差异较大，说明我国供给能力还需提升。
国内企业的光刻胶产品目前还主要用于pcb领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。
在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，nr7 6000p光刻胶，会在一定程度上增加对g线、i线的需求，利好g线、i线等生产企业。预计g线正胶今后将占据50%以上市场份额，i线正胶将占据40%左右的市场份额，duv等其他光刻胶约占10%市场份额，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。
二、预烘和底胶涂覆（pre-bake&primer vapor）
由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100 °c。这是与底胶涂覆合并进行的。
底胶涂覆增强光刻胶(pr)和圆片表面的黏附性。广泛使用: (hmds)、在pr旋转涂覆前hmds蒸气涂覆、pr涂覆前用冷却板冷却圆片。
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