光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线---后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显---，被---的光刻胶将被去除，nr9 3000p光刻胶哪里有，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，nr9 3000p光刻胶多少钱，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。
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根据化学反应机理和显影原理的不同，nr9 3000p光刻胶，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶，但经---后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，nr9 3000p光刻胶价格，经---后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、---性强，是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶---光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶---化学品。
正性光刻胶和负性光刻胶
光刻胶可依据不同的产品标准进行分类。按照化学反应和显影的原理，光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。如果显影时未---部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相反，称为负性光刻胶;如果显影时---部分溶解于显影液，形成的图形与掩膜版相同，称为正性光刻胶。
在实际运用过程中，由于负性光刻胶在显影时容易发生变形和膨胀的情况，一般情况下分辨率只能达到 2 微米，因此正性光刻胶的应用更为广泛。
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