北京赛米莱德贸易有限公司
主营业务z:负性光刻胶,透明光刻胶公司,高温光刻胶哪家好 等
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负性光刻胶-赛米莱德-负性光刻胶供应商
发布时间
2021-5-8
光刻胶按用途分类光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类,按照应用领域,光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和
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NR73G 6000P光刻胶-北京赛米莱德
发布时间
2021-5-4
芯片光刻的流程详解(二) 所谓光刻,根据---的定义,这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用---和显影在光刻胶层上刻画几何图形
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NR26 25000P光刻胶-赛米莱德
发布时间
2021-5-4
nr9-3000pynr26 25000p光刻胶三、光刻胶涂覆(photoresist coating)光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前,先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻
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紫外光刻胶公司-光刻胶-赛米莱德
发布时间
2021-5-3
光刻胶介绍以下内容由赛米莱德为您提供,今天我们来分享光刻胶的相关内容,紫外光刻胶公司,希望对同行业的朋友有所帮助!光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分
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NR71 3000PY光刻胶多少钱-北京赛米莱德
发布时间
2021-5-1
NR9-3000PYNR71 3000PY光刻胶三、光刻胶涂覆(Photoresist Coating)光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前,先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻
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赛米莱德公司-NR9 1500PY光刻胶厂家
发布时间
2021-4-29
光刻的工序下面我们来详细介绍一下光刻的工序:一、清洗硅片(wafer clean)清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷,提高光刻胶黏附性基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。自197
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PR1 1500A1光刻胶-北京赛米莱德公司
发布时间
2021-4-26
nr77-20000p正胶pr1-2000a1技术资料正胶pr1-2000a1是为---波长为365 或者436纳米,可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。pr1-
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北京赛米莱德-RR41光刻胶多少钱-RR41光刻胶
发布时间
2021-4-26
如何选择光刻胶光刻胶必须满足几个硬性指标要求:高灵敏度,高对比度,好的蚀刻阻抗性,高分辨力,易于处理,高纯度,长寿命周期,低溶解度,低成本和比较高的玻璃化转换温度(tg)。主要的两个性能是灵敏
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PR1 1500A1光刻胶报价-北京赛米莱德有限公司
发布时间
2021-4-25
nr9-3000pypr1 1500a1光刻胶四、前烘(soft bake)完成光刻胶的涂抹之后,需要进行软烘干操作,pr1 1500a1光刻胶,这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶
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负性光刻胶生产厂家-福建负性光刻胶-赛米莱德
发布时间
2021-4-20
光刻胶分类1、负性光刻胶主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。2、正性光刻胶主要以---醒为感光化台物,以酚醛树脂为基本材料。的有AZ
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